《科创板日报》继台积电之后又一家半导体晶圆代工龙头进军第三代半导体

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《科创板日报》，继台积电之后，又一家半导体晶圆代工龙头进军第三代半导体。

据台湾经济日报今日报道，联电已通过投资联颖，切入第三代半导体领域联电计划从6寸氮化镓产品入手，之后将展开布局碳化硅，并向8寸晶圆发展公司透露，第三代半导体制程将从CMOS转换而来，未来将伺机扩产

联电表示，由于目前业内较少厂商能够提供GaN整体解决方案，正在构建技术平台，由联电，联颖共同研发，聚焦电子，射频微波等应用，预计明年将导入IC设计客户。

另外，联电更与比利时微电子研究中心携手，开展第三代半导体研发后者是全球知名独立公共研发平台，半导体业内指标性研发机构，英特尔，三星，台积电，高通等均与其有合作

值得一提的是，联颖有望成为联电第三代半导体的主要生产阵地联颖此前主营业务便是6寸晶圆，但长时间处于亏损状态，产能利用率也处于较低水平但去年下半年以来，业绩好转，产能持续满载，明年产能有望较今年翻倍增长

能源技术革命向材料领域渗透 第三代半导体打开增长空间

除联电之外，产业链其余厂商也没有错过第三代半导体这一契机。

龙头台积电在GaN投入多年，目前已小批量提供6寸晶圆代工服务同时，公司针对车用领域，与意法半导体合作开发GaN制程，而Navitas，GaN Systems等厂商也已在台积电投片，生产高压功率半导体器件

世界先进已展开8寸GaN on Si研发，已有超过10家客户进行产品设计，台湾电子时报指出，该技术可靠性与良率已接近量产阶段。。

就在上周，硅晶圆厂商环球晶宣布，明年将大幅扩产第三代半导体，GaN及SiC产能均将翻倍增长。

各路厂商争相布局的背后，是新能源汽车，5G等新兴产业崛起和双碳目标带来的广阔增量空间。

SiC方面，其背后主要驱动力与新能源汽车紧密相连据三安光电副总经理陈东坡预计，在2023—2024年，长续航里程的车型基本上80—90%，甚至100%都将导入SiC器件同时，高压快充平台则是另一个需求增长点，目前车企打造800V高压平台都是从IGBT入手，以SiC器件取代硅基IGBT

GaN则主要用于5G射频器件，功率器件等，市场空间同样备受青睐。

总体来说，目前第三代半导体仍处于发展初期，分析师认为国内企业与国际巨头差距相对较小，对后来者也较为有利。近日，福州长乐区重大产业项目招商工作取得新进展，新落地省大数据公司总部，香港锦江功能性绿色超纤，河北东海特钢高端精品冶金新材料，第三代半导体氮化镓等4个项目，涉及新材料，大数据，第三代半导体等，投资额超396亿元。

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